HSMP-4820-TR2G

作为一款由安华高科技（Avago Technologies，现隶属于Broadcom博通）设计生产的射频PIN二极管，HSMP-4820-TR2G采用了经典的PIN结构，其核心在于一个高电阻率的本征（I）区夹在P型和N型半导体层之间。这种架构使其在射频和微波频段展现出卓越的性能，尤其是在高频开关和衰减应用中，其I区厚度和载流子寿命经过优化，确保了在正向偏置时呈现低阻抗，而在反向偏置时呈现高阻抗和极低的电容，从而实现快速、高效的信号控制。

该器件的关键特性使其在射频前端设计中极具吸引力。在20V反向偏压和1MHz测试条件下，其电容值低至0.75pF，这对于维持高频电路的信号完整性和减少插入损耗至关重要。同时，在10mA正向电流和1MHz下，其串联电阻仅为600毫欧，保证了在导通状态下具有很低的损耗。其峰值反向电压高达50V，最大正向电流为1A，提供了宽裕的设计余量。值得注意的是，其结温（Tj）最高可承受150°C，表明其具备良好的热稳定性和可靠性，适用于要求苛刻的环境。对于需要采购此型号的设计师，可以通过博通中国代理获取详细的产品资料和技术支持。

在接口与封装方面，HSMP-4820-TR2G采用标准的SOT-23-3（也称为TO-236-3或SC-59）表面贴装封装。这种小型化封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也便于自动化贴装生产，非常适合现代高密度电子设备。其三个引脚分别对应阳极、阴极和射频端口（通常中间引脚为射频端口），布局清晰，易于电路板布线设计，能够有效减少寄生参数对高频性能的影响。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能使其在特定应用领域仍有参考价值。它主要应用于需要高性能射频开关、可调衰减器以及限幅器的场景，例如在移动通信基站、测试与测量设备、卫星通信终端以及军用雷达系统中，用于实现信号的路径选择、功率调节和保护敏感的后级电路。其优异的电容和电阻参数组合，使其在高达数GHz的频率范围内都能保持稳定的性能表现。

• 型号:HSMP-4820-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 50V SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:50V
• 电流 - 最大值:1 A
• 不同Vr、F 时电容:0.75pF @ 20V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:600 毫欧 @ 10mA，1MHz
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 想获取HSMP-4820-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMP-4820-TR2G是安华高科技（Broadcom博通）推出的一款射频PIN二极管，采用SOT-23-3封装。其核心优势在于优异的射频性能参数组合，旨在为高频电路设计提供高效、可靠的信号控制解决方案。

该器件在20V反向偏压下的电容低至0.75pF（@1MHz），有效最小化了高频信号路径中的插入损耗和相位失真。同时，其正向串联电阻仅为600毫欧（@10mA， 1MHz），确保了在导通状态下的低功耗和高效率。高达50V的峰值反向电压和1A的最大电流能力，为其在多种射频前端架构中的应用提供了坚实的保障。