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HSMS-282R-BLKG的图片

HSMS-282R-BLKG

博通(BROADCOM)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:博通(BROADCOM)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,HSMS-282R-BLKG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-282R-BLKG的功能参数资料 - 博通公司(BROADCOM)提供

作为安华高科技(现隶属于Broadcom博通)射频二极管系列中的一款经典产品,HSMS-282R-BLKG采用了肖特基势垒二极管技术,其核心架构为两对串联的肖特基结。这种串联设计不仅有助于提升器件的整体击穿电压,使其峰值反向电压达到15V,同时也优化了在高频下的性能表现。该器件采用紧凑的6-TSSOP(SC-88,SOT-363)封装,为空间受限的射频电路设计提供了高集成度的解决方案。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的高频特性上。在零偏压、1MHz测试条件下,其结电容典型值仅为1pF,这一极低的寄生电容是保证其在射频电路中实现低损耗、高隔离度的关键。同时,在5mA正向电流、1MHz条件下测得的串联电阻为12欧姆,确保了信号路径上的导通损耗维持在较低水平。这些参数共同赋予了该器件在高频开关、混频、检波以及限幅等应用中的优异性能。

在接口与参数方面,HSMS-282R-BLKG定义了清晰的电气特性边界。其最大正向电流为1A,能够承受一定的瞬态电流冲击。最高结温(Tj)为150°C,提供了较宽的工作温度范围,增强了其在各种环境下的可靠性。值得注意的是,该产品目前已处于停产状态,在为新设计选型时需考虑供应链的替代方案,但现有库存及替代型号仍可通过可靠的渠道获取,例如专业的博通授权代理

基于其技术规格,该芯片典型的应用场景覆盖了从消费电子到通信基础设施的多个领域。它非常适合用于微波频段的低功耗检波器、UHF频段的混频器前端,以及需要快速开关和低失真特性的射频信号控制电路。其小型化封装也使其成为手机、无线模块、卫星接收器等便携式或高密度设备中射频前端设计的理想选择之一,尽管处于产品生命周期的特定阶段,其设计理念和性能指标仍具有重要的参考价值。

  • 型号:HSMS-282R-BLKG
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 2 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:12 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取HSMS-282R-BLKG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSMS-282R-BLKG是Broadcom(原安华高)推出的一款采用SOT-363封装的射频肖特基二极管对。其核心卖点在于专为高频应用优化的电气参数,包括在0V偏压下仅1pF的极低结电容,以及在5mA电流下12欧姆的串联电阻,这确保了其在射频路径中引入的损耗和失真最小化。

该器件采用两对串联的肖特基结构,提供了15V的峰值反向电压和1A的最大正向电流能力,结温最高可工作至150°C,具备良好的鲁棒性。这些特性使其非常适用于要求高频率、低损耗和快速响应的场景,如射频检波、混频及信号开关等电路。需要注意的是,该型号目前已标记为停产状态。

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